內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋?是指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型。不同類型的內(nèi)存,傳輸類型各有差異,這里給大家分享一些關(guān)于內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋褪鞘裁矗Ｍ麑Υ蠹夷苡兴鶐椭?/p>

SDRAM

SDRAM，即SynchronousDRAM同步動態(tài)隨機存儲器，曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天，SDRAM仍舊還在市場占有一席之地。既然是同步動態(tài)隨機存儲器，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。

SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字，就代表著該內(nèi)存最大所能正常工作的系統(tǒng)總線速度，如PC100，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為100MHz的電腦中同步工作。

與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。

DDR

嚴(yán)格的說，DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR。部分初學(xué)者也常看到DDRSDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。

DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系。因此，對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。因此，稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下，達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

與SDRAM相比，DDR運用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)輸送和輸出的主要步驟，既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步。DDR使用了DLLDelayLockedLoop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率，就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。

從外形體積上看，DDR與SDRAM相比差別并不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。

RDRAM

RDRAMRambusDRAM是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM，還必須要加納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導(dǎo)致了RDRAM從一問世就高昂的價格，讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。

RDRAM的數(shù)據(jù)存儲位寬是16位，遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面，則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者，可以達(dá)到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達(dá)到1.6Gbyte/s。

普通的DRAM行緩沖器的信息，在寫回存儲器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進(jìn)行存儲器訪問時，如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù)，則可利用，因而實現(xiàn)了高速訪問。另外，其可把數(shù)據(jù)集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要最初用24個時鐘，以后便可每1時鐘讀出1個字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長度，可以達(dá)到256字節(jié)。

DDR2

DDR2DoubleDataRate2SDRAM，是由JEDEC電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍于外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。

DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200，經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

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